BC857BW, пластиковый капсулированный PNP транзистор, -50В, -100мА, 150мВт [SOT-323]

Корпус: SOT-323

Все характеристики Запросить предложение

Корпус: SOT-323

Может заинтересовать

Транзисторы Yangjie (YJ)

YJG110G10B, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100B, 110A, 113Вт (PDFN5060-8L)

Запросить предложение

Транзисторы

КТ117Г, биполярный транзистор

Структура: N-База

Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*: Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 30

Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.05

Запросить предложение