КТ117Г, биполярный транзистор

Структура: N-База

Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*: Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 30

Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.05

Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 0.65

Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 0.2

Все характеристики Запросить предложение

Описание Характеристики

КТ117Г, транзистор биполярный

Структура: N-База

Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*: Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 30

Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.05

Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 0.65

Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 0.2

Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.3

Корпус: КТ-26

Может заинтересовать

Транзисторы Infineon

IRFR1205TRPBF, полевой транзистор 55 В 44 А

Структура: N-канал

Максимальное напряжение питания, В: 55

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 44

Запросить предложение

Транзисторы Infineon

IRFP260NPBF, транзистор N канал 200В 49А ТО247АС

Структура: N-канал

Максимальное напряжение питания, В: 200

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 49

Запросить предложение

Транзисторы Кремний ЭЛ

КТ503Е, биполярный транзистор

Структура: NPN

Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*: Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 100

Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.15

Запросить предложение