FGH40N60SMD, IGBT транзистор 600 В 80 А
Максимальное напряжение питания, В: 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 80
Корпус: TO-247
FGH40N60SMD, IGBT транзистор 600В, 80А, 290Вт TO-247
Максимальное напряжение питания, В: 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 80
Корпус: TO-247
Может заинтересовать
FDV303N, полевой транзистор 25 В 680 мА
Структура: N-канал
Корпус: SOT-23
IRF7807ZTRPBF, полевой транзистор 30 В 8.3 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: -11