IRF7807ZTRPBF, полевой транзистор 30 В 8.3 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: -11
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 2.25
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 18.фев
IRF7807ZTRPBF, транзистор N канал 30В 8.3А SO8
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: -11
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 2.25
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 18.фев
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 2.5
Крутизна характеристики S,мА/В: 22
Температура, С: -55…+150
Корпус: SOIC-8
