IRLML6401TRPBF, полевой транзистор 12 В 4.3 А
Структура: P-канал
Максимальное напряжение питания, В: 12
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 4/-3
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: -0.95
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 50
IRLML6401TRPBF, транзистор P канал12В -4.3А лог Micro3/SOT23
Структура: P-канал
Максимальное напряжение питания, В: 12
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 4/-3
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: -0.95
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 50
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 1.3
Крутизна характеристики S,мА/В: 8.6
Температура, С: -55…+150
Корпус: Micro3/SOT23
Может заинтересовать
IRF7807ZTRPBF, полевой транзистор 30 В 8.3 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: -11
КТ863Б, биполярный транзистор
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 30
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 10
IRL6372TRPBF, полевой транзистор 30 В 8.1 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 08.янв