Infineon

IRFBC30A, транзистор

Структура: N-канал

Максимальное напряжение питания, В: 600

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 03.июн

Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 4.5

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 2200

Все характеристики Запросить предложение

IRFBC30A — N-канальный силовой MOSFET Vishay на 600 В для высоковольтных силовых преобразователей.

Параметры ниже приведены по официальной документации производителя. При подборе и замене необходимо учитывать режим работы, тепловые условия и параметры управления затвором.

ООО НТП «Интенсив» поставляет IRFBC30A и другие компоненты Vishay под заказ. Стоимость и срок поставки уточняются по запросу.

Основные параметры

Модель / артикул	IRFBC30A
Производитель	Vishay Siliconix
Тип	N-канальный Power MOSFET
Конфигурация	Single
VDS	600 В
RDS(on) max @10 В	2,2 Ом
Qg max	23 нКл
Qgs	5,4 нКл
Qgd	11 нКл
Корпус	TO-220AB
Монтаж	THT
Особенности	Low gate charge; avalanche и dV/dt ruggedness
Применение	SMPS, UPS, high-speed power switching

Документация производителя

Официальная карточка Vishay IRFBC30A

Структура: N-канал

Максимальное напряжение питания, В: 600

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 03.июн

Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 4.5

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 2200

Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 74

Крутизна характеристики S,мА/В: 2.1

Температура, С: -55…+150

Корпус: TO220AB

IRFBC30A, транзистор

Основные параметры

Документация производителя

Может заинтересовать