![IRLML2803, N-канальный MOSFET транзистор, 1.2А, 540Вт [SOT23]](https://ntp-int.ru/wp-content/uploads/2024/01/900024-172.jpg)
IRLML2803, N-канальный MOSFET транзистор, 1.2А, 540Вт [SOT23]
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 01.фев
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 250
IRLML2803, N-канальный MOSFET транзистор, 1.2А, 540Вт [SOT23]
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 01.фев
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 250
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.54
Крутизна характеристики S,мА/В: 0.87
Температура, С: -55…+150
Корпус: Micro3/SOT23
Может заинтересовать
![IRFB7437PBF, транзистор N-канал 40В 195А [TO-220AB]](https://ntp-int.ru/wp-content/uploads/2024/01/901640-32.jpg)
IRFB7437PBF, транзистор N-канал 40В 195А [TO-220AB]
Структура: N-канал
Корпус: TO-220AB
ULN2803A, 18-DIP
Uвх., В: 30
Uк-э, В: 50
Iимп. Коллектора, мА: 500
КТ3102ГМ, транзистор
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 20
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.1