IRGP4068DPBF, IGBT транзистор 600 В 48 А
Максимальное напряжение питания, В: 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 48
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.14
Структура*:
дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением: n-канал с диодом
Мощность макс.,Вт: 330
IRGP4068DPBF, IGBT транзистор 600В 48А TO247AC
Максимальное напряжение питания, В: 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 48
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.14
Структура*:
дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением: n-канал с диодом
Мощность макс.,Вт: 330
Корпус: TO247AC
Может заинтересовать
IRF5305STRLPBF, полевой транзистор 55 В 31 А
Структура: P-канал
Максимальное напряжение питания, В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: -31
BC857B,215, PNP транзистор 45В 0,1А SOT-23-3
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 45
КТ502Г, биполярный транзистор
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.15