IRGP50B60PD1PBF, IGBT транзистор 600 В 45 А
Максимальное напряжение питания, В: 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 45
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.35
Максимальная частота переключения, кГц: 150
Структура*:
дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением: n-канал с диодом
IRGP50B60PD1PBF, IGBT транзистор 600В 45А 60-150кГц
Максимальное напряжение питания, В: 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 45
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.35
Максимальная частота переключения, кГц: 150
Структура*:
дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением: n-канал с диодом
Мощность макс.,Вт: 390
Корпус: TO247AC
Может заинтересовать
CSD18537NQ5AT, полевой транзистор 60 В 50 А
Структура: N-канал
IRF7607PBF, полевой транзистор 20 В 6.5 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 06.май
CSD16413Q5A, транзистор 8SON
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 24