NCE25TD120VT, IGBT транзистор 1200 В 25 А
Максимальное напряжение питания, В: 1200
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 25
Корпус: TO-247
NCE25TD120VT, IGBT транзистор 1200В 25A TO-247
Максимальное напряжение питания, В: 1200
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 25
Корпус: TO-247
Может заинтересовать
IRLML6344TR, полевой транзистор 30 В 5 А
Структура: N-канал
Корпус: SOT-23
![IRLML5203, [SOT-23]; 30V 3A 300mW 85mR@10V,4.1A 3V@250?A P Channel MOSFETs ROHS; =IRLML5203(INFIN)](https://ntp-int.ru/wp-content/uploads/2024/01/900024-181.jpg)
IRF8252TRPBF, полевой транзистор 25 В 25 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 25