ULN2003D1013TR, сборка транзисторов Дарлингтона
Uк-э, В: 50
Iимп. Коллектора, мА: 500
Кол-во, транзисторов: 7
Диапазон рабочих температур, гр.С: -40.00....+85.00
Конфигурация: общий эммитер
ULN2003D1013TR, матрица транзисторов NPN 50В 0.5A SO16
Uк-э, В: 50
Iимп. Коллектора, мА: 500
Кол-во, транзисторов: 7
Диапазон рабочих температур, гр.С: -40.00....+85.00
Конфигурация: общий эммитер
Полярность: NPN
Корпус: SO16
Может заинтересовать
IRF9317TRPBF, SOIC8
Корпус: SOIC-8
IRLML6344TRPBF, полевой транзистор 30 В 5 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 5
IRLML6246TRPBF, полевой транзистор 20 В 4.1 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 04.янв