ULN2004ADR, матрица транзисторов Дарлингтона NPN 50В 0,5А SO16
Может заинтересовать
IRF540NPBF, полевой транзистор 100 В 33 А
Структура: N-канал
Корпус: TO-220AB
КТ605БМ, биполярный транзистор
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 300
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 250
2SK1317-E, полевой транзистор 1500 В 2.5 А
Структура: N-канал
Корпус: TO-3P