2Т326Б, биполярный транзистор
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 20
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 15
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.05
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 45
2Т326Б
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 20
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 15
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.05
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 45
Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 400
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.25
Корпус: KT-1-7 (TO-18)
Может заинтересовать
MMBT4401, двунаправленный NPN транзистор, 60B, 600мА, 300мВт (SOT-23)
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 60
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 40
ULN2802A, сборка транзисторов Дарлингтона
Uвх., В: 30
Uк-э, В: 50
Iимп. Коллектора, мА: 500
IRGIB6B60KDPBF, IGBT транзистор 600 В 11 А
Максимальное напряжение питания, В: 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 11
Корпус: TO-220FP