КТ3102ГМ, биполярный транзистор
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 20
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 400
Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 300
КТ3102ГМ, транзистор
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 20
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 400
Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 300
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.25
Корпус: КТ-26
Может заинтересовать
IRFR120PBF, полевой транзистор 100 В 7.7 А
Структура: N-канал
Корпус: DPAK/TO-252AA
IRF9317TRPBF, SOIC8
Корпус: SOIC-8
STD8N65M5, полевой транзистор 650 В 7 А
Структура: N-канал