КТ3117А1, биполярный транзистор
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.4
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 40
Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 200
КТ3117А1, (1990-97г)
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.4
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 40
Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 200
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.5
Корпус: КТ-26
Может заинтересовать
BC857BW, биполярный транзистор 50 В 0.1 А
Структура: PNP
Корпус: SOT-323
IPD60R600PFD7SAUMA1, полевой транзистор 650 В 14 А
Структура: N-канал
Корпус: DPAK/TO-252AA
BSS131H6327XTSA1, SOT-23
Корпус: SOT-23