КТ3126А, биполярный транзистор
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 20
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.02
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 25
Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 500
КТ3126А, транзистор биполярный
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 20
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.02
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 25
Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 500
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.15
Корпус: КТ-26
Может заинтересовать
IRF7342PBF, полевой транзистор 55 В 3.4 А
Структура: P-канал
Корпус: SOIC-8
IRLML6344, полевой транзистор 30 В 5 А
Структура: N-канал
Корпус: SOT-23
2Т208Г, биполярный транзистор
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 30
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 30