КТ361Г, биполярный транзистор
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 35
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.05
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 50
Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 250
КТ361Г, транзистор биполярный
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 35
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.05
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 50
Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 250
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.15
Корпус: KT-13
Может заинтересовать
КТ3102Б, биполярный транзистор
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 50
IRGP4063DPBF, IGBT транзистор 600 В 48 А
Максимальное напряжение питания, В: 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 96
Корпус: TO-247AC
![BC847C, NPN транзистор, 80В, 0.1A, 200мВт [SOT-23]](https://ntp-int.ru/wp-content/uploads/2024/01/900024-82.jpg)
BC847C, NPN транзистор, 80В, 0.1A, 200мВт [SOT-23]
Структура: NPN
Корпус: SOT-23-3