КТ503Д, биполярный транзистор
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 60
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 40
КТ503Д
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 60
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 40
Корпус: КТ-26 (ТО-92)
Может заинтересовать
IRG4BC40SPBF, IGBT транзистор 600 В 31 А
Максимальное напряжение питания, В: 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 31
Корпус: TO-220AB
IRFBC40APBF, полевой транзистор 600 В 6.1 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 06.янв