КТ503Г, биполярный транзистор
Структура: NPN
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 80
Корпус: КТ-26 (ТО-92)
КТ503Г
Структура: NPN
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 80
Корпус: КТ-26 (ТО-92)
Может заинтересовать
IRFPC50PBF, полевой транзистор 600 В 11 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 16
RS30N50W, полевой транзистор 500 В 30 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 30
КТ117Б, биполярный транзистор
Структура: N-База
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 30
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.05