КТ503В, биполярный транзистор
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 40
Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 5
КТ503В, транзистор биполярный
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 40
Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 5
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.35
Корпус: КТ-26
Может заинтересовать
IRFR1205TRPBF, полевой транзистор 55 В 44 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 44
![IRLML2246TRPBF, [SOT-23] транзистор P канал20В -2.6A лог Micro3](https://ntp-int.ru/wp-content/uploads/2024/01/900024-162.jpg)
IRF7828TRPBF, N канал транзистор 30В 100А SO8
Структура: N-канал
Корпус: SOIC-8