КТ645А, биполярный транзистор
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 20
Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 200
КТ645А, транзистор биполярный
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 20
Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 200
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.5
Корпус: КТ-26
Может заинтересовать
ULN2803A, сборка транзисторов Дарлингтона
Uвх., В: 30
Uк-э, В: 50
Iимп. Коллектора, мА: 500
КП304А, полевой транзистор
Структура: P-FET
Максимальное напряжение питания, В: 5
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 30
IRLML2060TRPBF, полевой транзистор 60 В 1.2 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 01.фев