КТ819Г, биполярный транзистор
Кремний ЭЛ

КТ819Г, биполярный транзистор

Структура: NPN
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 10
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 12
Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 3
Все характеристики Запросить предложение

КТ819Г, (2012)

Структура: NPN
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 10
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 12
Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 3
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 1.5
Корпус: KT-28