КТ840А, биполярный транзистор
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 900
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 400
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 10
КТ840А, биполярный транзистор
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 900
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 400
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 10
Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 8
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 60
Корпус: KT-9
Может заинтересовать
2Т312Б, биполярный транзистор
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 30
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.03
2П301Б, полевой транзистор
Структура: P-FET
Максимальное напряжение питания, В: 5.4
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.2
