КТ852А, биполярный транзистор
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 2.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 500
Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 7
КТ852А, транзистор биполярный
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 2.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 500
Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 7
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 50
Корпус: KT-28
Может заинтересовать
![SI2319, [SOT-23-3]; MOSFETs ROHS; =SI2319(Vishay)](https://ntp-int.ru/wp-content/uploads/2024/01/900024-217.jpg)
SI2319, [SOT-23-3]; MOSFETs ROHS; =SI2319(Vishay)
Корпус: SOT-23-3
IRFP360PBF, полевой транзистор 400 В 23 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 400
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 23
IPB014N06N, полевой транзистор 60 В 180 А
Корпус: TO-263-7