КТ852В, биполярный транзистор
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 2.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 1000
Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 7
КТ852В, транзистор биполярный
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 2.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 1000
Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 7
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 50
Корпус: KT-28
Может заинтересовать
CSD25402Q3AT, полевой транзистор 20 В 76 А
Структура: P-канал
IRF7103TRPBF, полевой транзистор 50 В 3 А
Структура: 2N-канал
Корпус: SOIC-8
КТ361Д1, биполярный транзистор
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 40
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 40