КТ853А, биполярный транзистор
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 750
Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 7
КТ853А, транзистор, (2010-2011)
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 750
Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 7
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 60
Корпус: KT-28
Может заинтересовать
IRLML6346TRPBF, полевой транзистор 30 В 3.4 А
Структура: N-канал
Корпус: SOT-23
2SC2712-Y, биполярный транзистор 50 В 0.15 А
Структура: NPN
Корпус: SOT-23-3