КТ857А, биполярный транзистор
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 250
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 7
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 7.5
Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 10
КТ857А, транзистор биполярный
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 250
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 7
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 7.5
Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 10
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 60
Корпус: KT-28
Может заинтересовать
PBSS4032PT, биполярный транзистор 30 В 2.4 А
Структура: PNP
Корпус: SOT-23-3
КП303Е, полевой транзистор
Структура: N-FET
Максимальное напряжение питания, В: 8
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 20
КП304А, полевой транзистор
Структура: P-FET
Максимальное напряжение питания, В: 5
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 30