BSC057N08NS3GATMA1 — N-канальный силовой MOSFET семейства OptiMOS производства Infineon. Точное обозначение изделия подтверждено официальной документацией производителя.
Точный OPN BSC057N08NS3GATMA1 рассчитан на 80 В и ток стока до 100 А. Максимальное сопротивление открытого канала составляет 5,7 мОм при VGS = 10 В. Исполнение — SuperSO8 5×6 / PG-TDSON-8.
НТП «Интенсив» поставляет BSC057N08NS3GATMA1 под заказ. При подборе и замене компонента следует ориентироваться на точное заказное обозначение и официальную техническую документацию производителя.
В расширенной таблице ниже приведены также подтверждённые управляющие, динамические и тепловые параметры, важные при расчёте драйвера затвора, потерь переключения и теплового режима.
Основные параметры
| Модель | BSC057N08NS3GATMA1 |
| Производитель | Infineon |
| Тип | MOSFET |
| Канал | N-канал |
| VDS | 80 В |
| ID | 100 А |
| RDS(on) | ≤5,7 мОм @ VGS=10 В |
| Корпус | SuperSO8 5×6 / PG-TDSON-8 |
| Температура перехода | до +150 °C |
| ID pulse | 400 А |
| Ptot | 114 Вт |
| Qg | тип. 42 нКл @10 В |
| Ciss | 2900 пФ |
| Coss | 780 пФ |
| VGS(th) | 2,0…3,5 В, тип. 2,8 В |
| Rth | 1,1 К/Вт |
| Монтаж | SMD |
| MSL | 1 |
Может заинтересовать
CSD25310Q2, полевой транзистор 20 В 20 А
Структура: P-канал
IRF5305STR-VB, полевой транзистор 55 В 31 А
Корпус: D2PAK