BSH201.215 — P-канальный logic-level MOSFET Nexperia BSH201; код исполнения BSH201,215.
Параметры ниже приведены по официальной документации производителя. При подборе и замене необходимо учитывать режим работы, тепловые условия и параметры управления затвором.
ООО НТП «Интенсив» поставляет BSH201.215 и другие компоненты Nexperia под заказ. Стоимость и срок поставки уточняются по запросу.
Основные параметры
| Модель / артикул | BSH201.215 |
| Тип производителя | BSH201 |
| Производитель | Nexperia |
| Тип | P-канальный vertical D-MOS logic-level FET |
| VDS | −60 В |
| VGS(th) | тип. −1,9 В |
| RDS(on) @−10 В | тип. 2,1 Ом; max 2,5 Ом |
| RDS(on) @−4,5 В | тип. 2,7 Ом; max 3,75 Ом |
| Qg typ | 3 нКл |
| Qgs typ | 0,5 нКл |
| Qgd typ | 0,4 нКл |
| Ciss typ | 70 пФ |
| Coss typ | 15 пФ |
| Crss typ | 5 пФ |
| Корпус | SOT-23 / TO-236AB |
| MSL | 1 |
| Статус | Not for Design In |
Документация производителя
Может заинтересовать
IRFBC40APBF, полевой транзистор 600 В 6.1 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 06.янв
IRFR320TRPBF, полевой транзистор 400 В 3.1 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 400
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 03.янв
КП103Е1, полевой транзистор
Структура: P-FET
Максимальное напряжение питания, В: 1.5
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.007