BSP129H6327XTSA1 — N-канальный MOSFET Infineon BSP129, работающий в режиме обеднения (depletion mode).
Транзистор рассчитан на VDS до 240 В и ток стока до 0,35 А, выполнен в SMD-корпусе SOT-223.
Depletion-mode MOSFET отличается от обычных enhancement-mode устройств тем, что проводит при нулевом напряжении затвор–исток. Это важно учитывать при замене и проектировании схем.
ООО НТП «Интенсив» поставляет BSP129H6327XTSA1 и другие транзисторы Infineon под заказ. Стоимость и срок поставки уточняются по запросу.
Таблица дополнена подтверждёнными управляющими, динамическими, тепловыми и эксплуатационными параметрами, важными при расчёте потерь, драйвера затвора и теплового режима.
Основные параметры BSP129H6327XTSA1
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Модель / артикул | BSP129H6327XTSA1 |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Тип | N-канальный depletion-mode MOSFET |
| VDS | 240 В |
| ID | 0,35 А |
| RDS(on), max @10 В | 6 Ом |
| Корпус | SOT-223 |
| Монтаж | SMD |
| Режим | depletion mode |
| ID pulse | 1,4 А |
| Ptot | 1,8 Вт |
| Qg | тип. 3,8 нКл @4,5 В |
| Ciss | 82 пФ |
| Coss | 12 пФ |
| VGS(th) | −2,1…−1,0 В, тип. −1,4 В |
| RthJC | 70 К/Вт |
| Температурный диапазон | −55…+150 °C |
Документация производителя
Корпус: SOT-223-3
Может заинтересовать
CSD16409Q3, полевой транзистор 25 В 60 А
Структура: N-канал
BC847B, Транзистор биполярный стандартный
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 45