BSS138, полевой транзистор 50 В 0.22 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 50
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 0.2
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 1.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 3500
BSS138, N-канальный MOSFET транзистор, 50В, 0.22А, 0.35Вт [SOT-23]
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 50
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 0.2
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 1.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 3500
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.3
Крутизна характеристики S,мА/В: 0.1
Температура, С: -55…+150
Корпус: SOT-23
Может заинтересовать
BC857CW, биполярный транзистор 50 В 0.1 А
Структура: PNP
Корпус: SOT-323
IRLB3034PBF, полевой транзистор 40 В 343 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 195
2N5551, транзистор биполярный TO92
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 160
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 160