GT080N10K, полевой транзистор 100 В 65 А
Структура: N-канал
Корпус: TO-252
GT080N10K, N канальный транзистор 100В 65A TO-252
Структура: N-канал
Корпус: TO-252
Может заинтересовать
ULN2003APG, сборка транзисторов Дарлингтона
Uк-э, В: 50
Iимп. Коллектора, мА: 500
Кол-во, транзисторов: 7
IRG4BC40SPBF, IGBT транзистор 600 В 31 А
Максимальное напряжение питания, В: 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 31
Корпус: TO-220AB
IRLML5103TRPBF, полевой транзистор 30 В 0.76 А
Корпус: SOT-23