HCD80R1K4E, полевой транзистор 800 В 4 А
Корпус: DPAK/TO-252AA
HCD80R1K4E, [D-PAK] Транзистор MOSFET 800В 4А 1,4 Rds (=FCD1300N80Z, STD5N80K5, IPD80R1K4P7ATMA1)
Корпус: DPAK/TO-252AA
Может заинтересовать
IRLML2502, полевой транзистор 20 В 4.2 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 04.фев
BCX56-10, биполярный транзистор 100 В 1 А
Структура: NPN
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 1
IRF9Z34SPBF, полевой транзистор 60 В 18 А
Структура: P-канал