HFP4N60, полевой транзистор 600 В 4 А
Структура: N-канал
Корпус: TO-220
HFP4N60, Транзистор MOSFET N-канальный 600 В 4 А [TO-220] (=IRFBC30PBF)
Структура: N-канал
Корпус: TO-220
Может заинтересовать
TLE5224G2, транзистор 2x4A Low Sw.PDSO-24-3
Структура: Инт. ключ
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 250
КТ209И, биполярный транзистор
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 45
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 45
BCX52-16,115, SOT-89-3
Корпус: SOT-89