IPD80R2K0P7ATMA1, полевой транзистор 800 В 3 А
Infineon

IPD80R2K0P7ATMA1, полевой транзистор 800 В 3 А

Структура: N-канал
Корпус: DPAK/TO-252AA
Все характеристики Запросить предложение

IPD80R2K0P7ATMA1, N канал транзистор 800В 3А DPAK

Структура: N-канал
Корпус: DPAK/TO-252AA

Может заинтересовать

IRG7PH35UPBF, IGBT транзистор 1200 В 35 А
Транзисторы Infineon
IRG7PH35UPBF, IGBT транзистор 1200 В 35 А
Максимальное напряжение питания, В: 1200
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 35
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.9
Запросить предложение
PXT2907A.115, Биполярный транзистор – [SOT-89]
Запросить предложение
IPP039N04LGXKSA1, полевой транзистор 40 В 80 А
Запросить предложение