IRF5803D2PBF, полевой транзистор 40 В 3.4 А
Структура: P-канал
Максимальное напряжение питания, В: 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: -3.4
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: -3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 190
IRF5803D2PBF, транзистор Pкан+Шотт -40В -3.4А SO8
Структура: P-канал
Максимальное напряжение питания, В: 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: -3.4
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: -3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 190
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 2
Крутизна характеристики S,мА/В: 4
Температура, С: -55…+150
Корпус: SOIC-8
Может заинтересовать
CSD17308Q3T, полевой транзистор 30 В 50 А
Структура: N-канал
КТ502Г, биполярный транзистор
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.15
FZT688BTA
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 12
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 12