IRF630PBF, полевой транзистор 200 В 9 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 9
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 400
IRF630PBF, транзистор N канал 200В 9.0А TO220AB
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 9
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 400
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 74
Крутизна характеристики S,мА/В: 3.8
Температура, С: -55…+150
Корпус: TO220AB
Может заинтересовать
IRLML5103TRPBF, полевой транзистор 30 В 0.76 А
Корпус: SOT-23
IAUC120N04S6N009ATMA1, полевой транзистор 40 В 120 А
Структура: N-канал
Корпус: TDSON-8
2П301Б, полевой транзистор
Структура: P-FET
Максимальное напряжение питания, В: 5.4
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.2