IRF7319TRPBF, транзистор N/P канал 30B 6.5/-4.9A SO8
Структура: N&P-канал
Корпус: SOIC-8
IRF7319TRPBF — сдвоенный силовой MOSFET Infineon с N- и P-каналом в одном корпусе SO-8.
Оба канала рассчитаны на напряжение до 30 В. Максимальные токи стока: N: 6,5 А / P: −4,9 А.
Максимальные значения RDS(on) при VGS=10 В: N: 29 мОм / P: 58 мОм; при VGS=4,5 В: N: 46 мОм / P: 98 мОм. Такое исполнение удобно для компактных двухключевых каскадов.
ООО НТП «Интенсив» поставляет IRF7319TRPBF и другие MOSFET Infineon под заказ. Стоимость и срок поставки уточняются по запросу.
Таблица дополнена подтверждёнными управляющими, динамическими, тепловыми и эксплуатационными параметрами, важными при расчёте потерь, драйвера затвора и теплового режима.
Основные параметры IRF7319TRPBF
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Модель / артикул | IRF7319TRPBF |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Тип | сдвоенный N+P MOSFET |
| VDS | 30 В |
| ID | N: 6,5 А / P: −4,9 А |
| RDS(on), max @10 В | N: 29 мОм / P: 58 мОм |
| RDS(on), max @4,5 В | N: 46 мОм / P: 98 мОм |
| Корпус | SO-8 |
| Ptot | 2 Вт |
| Qg, typ | 22 и 23 нКл |
| Qgd, typ | 5,9 и 6,4 нКл |
| VGS max | ±20 В |
| RthJA | 62,5 К/Вт |
| Tj max | +150 °C |
| MSL | 1 |
| Статус | Active |
Документация производителя
Структура: N&P-канал
Корпус: SOIC-8
Может заинтересовать
2Т208Г, биполярный транзистор
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 30
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 30
