IRF7342TRPBF, полевой транзистор 55 В 3.4 А
Структура: 2P-канал
Максимальное напряжение питания, В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: -3.4
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 105
IRF7342TRPBF, [S0-8] [транзистор 2P канал -55В -3.4А SO8
Структура: 2P-канал
Максимальное напряжение питания, В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: -3.4
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 105
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 2
Крутизна характеристики S,мА/В: 3.3
Температура, С: -55…+150
Корпус: SOIC-8
Может заинтересовать
BC857B,215, PNP транзистор 45В 0,1А SOT-23-3
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 45
КТ605АМ, биполярный транзистор
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 300
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 250
IRF5305STRLPBF, полевой транзистор 55 В 31 А
Структура: P-канал
Максимальное напряжение питания, В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: -31