IRF7351TRPBF, полевой транзистор 60 В 8 А
Структура: 2N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 8
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 17.авг
IRF7351TRPBF, транзистор 2N канал 60В 8А SO8
Структура: 2N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 8
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 17.авг
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 2
Крутизна характеристики S,мА/В: 18
Температура, С: -55…+150
Корпус: SO8
Может заинтересовать
![BC857B, PNP транзистор, -50B, -0.1A, 200мВт [SOT-23] = BC857BLT1G](https://ntp-int.ru/wp-content/uploads/2024/01/900024-91.jpg)
BC857B, PNP транзистор, -50B, -0.1A, 200мВт [SOT-23] = BC857BLT1G
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 45
BC846BS, биполярный транзистор 65 В 100 мА
Структура: NPN+PNP
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 65
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.1
CSD19538Q2, полевой транзистор 100 В 14 А
Структура: N-канал