IRF7406TRPBF, полевой транзистор 30 В 5.8 А
Структура: P-канал
Максимальное напряжение питания, В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: -5.8
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 45
IRF7406TRPBF, транзистор Pкан -30В -5.8А SO8
Структура: P-канал
Максимальное напряжение питания, В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: -5.8
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 45
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 2.5
Крутизна характеристики S,мА/В: 3.1
Температура, С: -55…+150
Корпус: SOIC-8
Может заинтересовать
BSC0802LSATMA1, полевой транзистор 100 В 100 А
Структура: N-канал
Корпус: TDSON-8
IRF1404PBF, полевой транзистор 40 В 162 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 162
КП303Е, полевой транзистор
Структура: N-FET
Максимальное напряжение питания, В: 8
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 20