IRF7455PBF, полевой транзистор 30 В 15 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 15
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 07.май
IRF7455PBF, транзистор N канал 30В 15А SO8
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 15
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 07.май
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 2.5
Крутизна характеристики S,мА/В: 44
Температура, С: -55…+150
Корпус: SOIC-8
Может заинтересовать
КТ907А, биполярный транзистор
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 65
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 65
IRLU120NPBF, полевой транзистор 100 В 10 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 04.мар
КТ863Б, биполярный транзистор
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 30
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 10