IRF830APBF, полевой транзистор 500 В 5 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 5
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 4.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 1400
IRF830APBF, транзистор N канал 500В 5А TO220AB
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 5
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 4.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 1400
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 74
Крутизна характеристики S,мА/В: 2.8
Температура, С: -55…+150
Корпус: TO220AB
