IRF840APBF, полевой транзистор 500 В 8 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 8
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 850
IRF840APBF, транзистор N канал 500В 8.0А TO220AB
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 8
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 850
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 125
Крутизна характеристики S,мА/В: 3.7
Температура, С: -55…+150
Корпус: TO220AB
Может заинтересовать
FZT688BTA
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 12
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 12
MJB45H11T4G, D2Pak (TO-263)
Корпус: TO-263