IRFB4212PBF, транзистор (IRF520,IRF530) N канал 100В 18А TO220AB
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 18
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: -5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 72.5
IRFB4212PBF, транзистор (IRF520,IRF530) N канал 100В 18А TO220AB
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 18
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: -5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 72.5
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 60
Крутизна характеристики S,мА/В: 11
Температура, С: -55...+175
Корпус: TO220AB
Может заинтересовать
![YJM04N10A, N-канальный MOSFET транзистор,100В, 4А [SOT-223]](https://ntp-int.ru/wp-content/uploads/2024/01/900024-227.jpg)
YJM04N10A, N-канальный MOSFET транзистор,100В, 4А [SOT-223]
Структура: N-канал
Корпус: SOT-223-3
UMD22N, биполярный NPN+PNP цифровой транзистор (встраиваемый резистор), 50В, 100мА, 150мВт (SOT-363)
Структура: NPN+PNP
Корпус: SOT-363-6
BC817-40, NPN транзистор в пластиковом корпусе, 50В, 500мА, 300мВт (SOT-23)
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 45