IRFB7430PBF, полевой транзистор 40 В 195 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 195
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 3.9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 01.мар
IRFB7430PBF, транзистор (IRFB3004PBF) N канал 40В 195А 1.3мОм TO220AB StrongIRFET
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 195
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 3.9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 01.мар
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 375
Крутизна характеристики S,мА/В: 150
Особенности: StrongIRFET
Температура, С: -55...+175
Корпус: TO220AB
Может заинтересовать
FZT651TA, биполярный транзистор 60 В 3 А
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 60
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 60
КТ603Б, биполярный транзистор
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 30
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 30
2SK1317-E, полевой транзистор 1500 В 2.5 А
Структура: N-канал
Корпус: TO-3P