IRFB9N60APBF, полевой транзистор 600 В 9.2 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 09.фев
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 750
IRFB9N60APBF, транзистор N канал 600В 9.2А ТО220АВ
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 09.фев
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 750
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 170
Крутизна характеристики S,мА/В: 5.5
Температура, С: -55…+150
Корпус: TO220AB
Может заинтересовать
IRF8252TRPBF, полевой транзистор 25 В 25 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 25
BC807-25, PNP транзистор в пластиковом корпусе, -50В, -500мА, 300мВт (SOT-23)
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 45
2SC1815, биполярный транзистор 50 В 0.15 А
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 60
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 50