IRFBE30PBF, полевой транзистор 800 В 4.1 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 04.янв
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 3000
IRFBE30PBF, транзистор N канал 800В 4.1А TO220AB
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 04.янв
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 3000
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 125
Крутизна характеристики S,мА/В: 2.5
Температура, С: -55…+150
Корпус: TO220AB
Может заинтересовать
КТ914А, биполярный транзистор
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 65
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.8
КП302ВМ, полевой транзистор
Структура: N-FET
Максимальное напряжение питания, В: 10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 100