IRFBG30PBF, полевой транзистор 1000 В 3.1 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 1000
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 03.янв
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 5000
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 125
IRFBG30PBF, транзистор N канал 1000В 3.1А TO220AB
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 1000
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 03.янв
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 5000
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 125
Температура, С: -55…+150
Корпус: TO220AB
Может заинтересовать
IRFP4368PBF, полевой транзистор 75 В 350 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 75
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 195
КТ831А, биполярный транзистор
Структура: NPN
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 30
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 2
YJL3400A, полевой транзистор 30 В 5.6 А
Структура: N-канал
Корпус: SOT-23