IRFI540NPBF, TO-220AB, полевой транзистор, N-канальный, 55В 104A, 200Вт
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 20
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 52
IRFI540NPBF, TO-220AB, полевой транзистор, N-канальный, 55В 104A, 200Вт
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 20
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 52
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 54
Крутизна характеристики S,мА/В: 11
Температура, С: -55...+175
Корпус: TO220FP-3
Может заинтересовать
RS65R041W, МОП-транзистор , 500 Вт
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 500
![BD681, NPN транзистор Дарлингтона, 100В, 4A [TO-126]](https://ntp-int.ru/wp-content/uploads/2024/01/900148-3.jpg)
BD681, NPN транзистор Дарлингтона, 100В, 4A [TO-126]
Структура: NPN
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 4
MMBTA92LT1G, биполярный транзистор 300 В 0.5 А
Структура: PNP
Корпус: SOT-23-3